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    Intel首款45nm新旗舰QX9650

     时间:2007-11-06  出处:中关村在线  作者:   标签:

    内容摘要:
    最近的一次Tick-Tock则正是现时所进行的65纳米Core微架构与45纳米Penryn家族之间的更替,Intel公司兑现了其每年更新具有改良型微架构的硅晶片制程工艺或是全新微架构的承诺。

    最近的一次Tick-Tock则正是现时所进行的65纳米Core微架构与45纳米Penryn家族之间的更替,Intel公司兑现了其每年更新具有改良型微架构的硅晶片制程工艺或是全新微架构的承诺。

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    Intel首款45nm新旗舰QX9650超详细测试
    Intel公司45纳米Penryn家族处理器规划
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      新一代45纳米Penryn家族共由七位成员组成,其中包括桌面级双核心/ 四核心的Wolfdale/Yorkfield,移动级双核心的Penryn,企业级双核心的Wolfdale-DP/Dunnington-DC和四核心的Harpertown/Dunnington-QC。由于Intel公司早前推行的简化处理器产品线命名规范的方案并没能最终实施,因此单就桌面级处理器产品线而言,45纳米双核心/四核心的Wolfdale/Yorkfield仍将被分为双核心Core 2 Duo、四核心Core 2 Quad以及极致型Core 2 Extreme等三个系列。

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            而我们此番所要进行测试的Yorkfield内核四核心Core 2 Extreme QX9650处理器则将成为2007年年内正式发布的唯一一款45纳米Penryn家族的桌面级产品。

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    Intel首款45nm新旗舰QX9650超详细测试
    Intel公司先后将有三座Fab晶圆厂投产45纳米以保证其供货充足
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      首批45纳米晶圆样品将由Intel公司位于美国俄勒冈州的Fab-D1D厂房负责试产,而初期量产工作则将全部交由同样位于美国亚利桑那州且全新兴建的Fab-32厂房负责。在此之后,位于以色列的Fab-28厂房预计将于2008年上半年加入这一行列之中,而率先投产45纳米晶圆的俄勒冈州Fab- D1D厂房亦将进行改建以满足其量产需求。

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    45纳米硅晶片制程——摩尔定律仍在延续 字串9

       严格意义上而言,2007年可以称得上是晶体管的“六十大寿”。1947年12月16日,Bell Labs贝尔试验室的William Shockley威廉姆·萧克利、John Bardeen约翰·巴丁以及Walter Brattain沃尔特·布拉顿等三位科学家成功研制出世界上第一枚晶体管,并以此荣获1956年的诺贝尔物理学奖。1950年,William Shockley威廉姆·萧克利又成功研制出世界上第一枚双极性接面晶体管,这亦是现时通用晶体管的雏形。十一年之后的1961年4月25日,身为日后Intel英特尔公司创始人之一的Robert Noyce罗伯特·诺伊斯拿下了首个集成电路的专利权,使得晶体管向着微型化、广泛化应用发展。 字串4

      1965年,另一位日后Intel英特尔公司的创始人Gordon Moore戈登·摩尔应Electronics Magazine电子杂志之邀撰写了一篇题为“让集成电路填满更多元件”(Cramming more components onto integrated circuits)的文章,对未来半导体元件工业的发展趋势做出了预测。Gordon Moore高登·摩尔在文章中指出:单块硅晶片上所集成的晶体管数目大约每年(注:1975 年,Gordon Moore高登·摩尔将这一周期修正为每两年 )增长一倍,而这一预言亦是日后所广为人知的“摩尔定律”。

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      1968年7月,Robert Noyce罗伯特·诺伊斯和Gordon Moore高登·摩尔最后一批离开Fairchild Semiconductor仙童半导体公司,在风险资本家Arthur Rock阿瑟·洛克的帮助下,创立了NM Electronics NM电子公司,并在不久之后以15000美元购得Intel英特尔商号,公司亦随之更名,全称为Integrated Electronics集成电子设备公司。Intel英特尔公司成立之后一直在晶体管技术方面处于领先地位,次年便成功研制出PMOS硅栅晶体管技术,除使用传统二氧化硅栅介质之外,亦引入新的多晶硅栅介质。Intel英特尔公司于1971年推出的首款微处理器4004便是以10微米PMOS硅栅晶体管技术制成,1/8 x 1/16英吋的单位面积内能够容纳2000个左右的晶体管数量。

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    Intel首款45nm新旗舰QX9650超详细测试
    Intel公司45纳米硅晶片效果

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       现时IC制程工艺通常以纳米做为度量单位,其实际上是指集成电路中晶体管之间的连接线宽。连接线宽越短,单位面积的晶片上所能够容纳晶体管数量也就越多,其效能及功能亦将随之增强。45纳米Penryn家族处理器中的双核心版本将内建4.1亿个晶体管,而四核心版本则更是创下了内建8.2亿个晶体管的历史新高。当然,越来越难控制的晶体管发热量以及电流泄漏是始终不容忽视的,因此Intel公司亦于45纳米Penryn家族处理器中对晶体管材料做出有益尝试,并取得显著成效,而193纳米干式平版印刷技术的延伸应用亦使其成本优势及易制造性得以充分发挥。

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